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K8D6316UBM-YC07

更新时间： 2024-02-15 05:08:17

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三星 - SAMSUNG		闪存
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48页	1497K
描述
64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory

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K8D6316UBM-YC07 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.8,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
备用内存宽度：	8	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e0	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
部门数/规模：	8,127	端子数量：	48
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP48,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
部门规模：	8K,64K	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE

K8D6316UBM-YC07 数据手册

K8D6x16UTM / K8D6x16UBM

NOR FLASH MEMORY

Document Title

64M Bit (8M x8/4M x16) Dual Bank NOR Flash Memory

Revision History

Revision No. History

Draft Date

Remark

0.0

1.0

1.1

Initial Draft

January 10, 2002

Preliminary

Final Specification

May 22, 2002

Final

Revised

June 18, 2003

- Release the stand-by current from typ. 5uA(max. 18uA) to typ.

10uA(max. 30uA).

1.2

Not support 48TSOP1 Package

November 18, 2003

Not support 16M/16M BANK partition

1.3

1.4

1.5

1.6

Support 48TSOP1 Package

July 22, 2004

Support 48TSOP1 Lead Free Package

Support 48FBGA Leaded/Lead Free Package

September 16, 2004

March 16, 2005

"Asynchronous mode may not support read following four sequential September 08, 2006

invalid read condition within 200ns." is added

Revision 1.6

September, 2006

12 3 4 5 6 7...48

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