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K8A6415EBC-HC7D0

更新时间： 2024-09-13 19:30:15

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
54页	1092K
描述
Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-88

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K8A6415EBC-HC7D0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	BGA
包装说明：	8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEAD FREE, FBGA-88	针数：	88
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	BOTTOM BOOT BLOCK, SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PBGA-B88
长度：	11 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	8,127	端子数量：	88
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TFBGA
封装等效代码：	BGA88,8X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	页面大小：	8 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	1.8 V	编程电压：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.1 mm
部门规模：	4K,32K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.07 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

K8A6415EBC-HC7D0 数据手册

K8A6415ET(B)C

NOR Flash Memory

64Mb C-die SLC NOR Specification

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Revision 1.0

November 2008

12 3 4 5 6 7...54

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K8A6415EBC-HC7E0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, HALOGEN FREE AND LEA
K8A6415EBC-HC7ET	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88,
K8A6415EBC-HE7B	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88,
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K8A6415EBC-HE7CT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88,
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K8A6415EBC-SC7CT	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88,
K8A6415EBC-SC7D0	SAMSUNG	获取价格	Flash, 4MX16, 70ns, PBGA88, 8 X 11 MM, 1.10 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-88

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