Datasheet > K7N803609B-QC250

K7N803609B-QC250

更新时间： 2024-02-13 12:22:32

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	393K
描述
ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K7N803609B-QC250 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	QFP	包装说明：	LQFP, QFP100,.63X.87
针数：	100	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	2.6 ns
其他特性：	PIPELINED ARCHITECTURE	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
长度：	20 mm	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	36
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX36	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LQFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK, LOW PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.6 mm
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.47 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.465 V	最小供电电压 (Vsup)：	3.135 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

K7N803609B-QC250 数据手册

K7N803609B

K7N801809B

256Kx36 & 512Kx18 Pipelined NtRAM^TM

8Mb NtRAM Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED

ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure couldresult in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 5.0 April 2006

- 1 -

12 3 4 5 6 7...19

中文翻译

下载PDF

与K7N803609B-QC250相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N803609B-QC25T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 2.6ns, CMOS, PQFP100
K7N803645A-HC10	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7N803645A-HC10T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PBGA119
K7N803645A-HC13	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119
K7N803645A-HC15	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7N803645A-HC16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119
K7N803645A-PC13	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100
K7N803645A-PC15	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100
K7N803645A-PC16	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7N803645A-QC15T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100

与K7N803609B-QC250相关文章

压敏电阻与气体放电管串联使用的专业解析
2024-07-01

4
手册解读：MMBT3904参数与管脚图及代换
2024-07-01

1
74LS298PC手册解读：参数说明、引脚说明、替代型号推荐
2024-07-01

2
L6234手册解读：引脚信息、电气参数
2024-07-01

1

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N803609B-QC250

K7N803609B-QC250 技术参数

K7N803609B-QC250 数据手册

与K7N803609B-QC250相关器件

与K7N803609B-QC250相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K7N803609B-QC250

K7N803609B-QC250 技术参数

K7N803609B-QC250 数据手册

与K7N803609B-QC250相关器件

与K7N803609B-QC250相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？