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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 3.8 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 149 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | ZBT SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.01 A | 最小待机电流： | 2.38 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.35 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K7N803645A-HC16T | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119 |
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| K7N803645A-PC13 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7N803645A-PC15 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7N803645A-PC16 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7N803645A-QC15T | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7N803645A-QC16 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7N803645B | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx36 & 512Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM |
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| K7N803645B-HC15 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7N803645B-HC16 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
|
| K7N803645B-PC130 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PQFP100 |
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