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K7N641845M-EC25T

更新时间： 2024-09-17 06:21:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
25页	549K
描述
ZBT SRAM, 4MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100

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K7N641845M-EC25T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	2.6 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e1	内存密度：	75497472 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	端子数量：	100
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	4MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2.38 V	子类别：	SRAMs
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	40

K7N641845M-EC25T 数据手册

K7N643645M

K7N641845M

2Mx36 & 4Mx18 Pipelined NtRAM^TM

72Mb NtRAM^TMSpecification

100TQFP/165FBGA with Pb/Pb-Free

(RoHS compliant)

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 September 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K7N641845M-EI16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 4MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7N641845M-FC16	SAMSUNG	获取价格	2Mx36 & 4Mx18 Pipelined NtRAM
K7N641845M-FC160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 4MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7N641845M-FC16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 4MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7N641845M-FC25	SAMSUNG	获取价格	2Mx36 & 4Mx18 Pipelined NtRAM
K7N641845M-FC250	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 4MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7N641845M-FI160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 4MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165
K7N641845M-FI16T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 4MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7N641845M-FI25T	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 4MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100
K7N641845M-PC160	SAMSUNG	获取价格	ZBT SRAM, 4MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100

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