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K7N403601M-TC100

更新时间： 2024-11-07 07:22:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
17页 388K
描述
ZBT SRAM, 128KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7N403601M-TC100 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：QFP
包装说明：LQFP,针数：100
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.84
最长访问时间：5 nsJESD-30 代码：R-PQFP-G100
长度：20 mm内存密度：4718592 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：36
功能数量：1端子数量：100
字数：131072 words字数代码：128000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：128KX36
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LQFP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE
并行/串行：PARALLEL认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.65 mm端子位置：QUAD
宽度：14 mmBase Number Matches：1

K7N403601M-TC100 数据手册

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K7N403601M  
K7N401801M  
128Kx36 & 256Kx18 Pipelined NtRAMTM  
Document Title  
128Kx36 & 256Kx18-Bit Pipelined NtRAMTM  
Revision History  
Rev.No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
1. Initial document.  
July.06. 1998  
Oct. 10 . 1998  
Preliminary  
Preliminary  
0.1  
1. Changed tCD,tOE from 4.0ns to 4.2ns at -75  
2. Changed DC condition at Icc and parameters  
ISB1 ; from 10mA to 30mA,  
ISB2 ; from 10mA to 30mA.  
0.2  
0.3  
1.0  
2.0  
3.0  
Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )  
Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.  
Final spec Release.  
Dec. 10. 1998  
Dec. 23. 1998  
Jan. 29. 1999  
Feb. 25. 1999  
May. 13. 1999  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
Remove VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )  
Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )  
Final  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
May 1999  
Rev 3.0  
1234567...17

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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