是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 20 mm | 内存密度: | 4718592 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 100 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX36 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LQFP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | 230 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.6 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | QUAD |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N641831M-FC25 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 4MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA165 | |
K7N641831M-HC16 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 4MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119 | |
K7N641831M-HC25 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 4MX18, 2.6ns, CMOS, PBGA119 | |
K7N641831M-QC16 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 4MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N641831M-QC25 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 4MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N641845M | SAMSUNG |
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2Mx36 & 4Mx18 Pipelined NtRAM | |
K7N641845M-EC160 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 4MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FBGA-165 | |
K7N641845M-EC25T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 4MX18, 2.6ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N641845M-EI16T | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 4MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100 | |
K7N641845M-FC16 | SAMSUNG |
获取价格 |
2Mx36 & 4Mx18 Pipelined NtRAM |