是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | QFP | 包装说明: | LQFP, |
针数: | 100 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.89 | 最长访问时间: | 6 ns |
其他特性: | FLOW-THROUGH ARCHITECTURE | JESD-30 代码: | R-PQFP-G100 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20 mm |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | ZBT SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 100 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 1MX18 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | LQFP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLATPACK, LOW PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 230 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.6 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.65 mm |
端子位置: | QUAD | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7M161825A-QI65 | SAMSUNG |
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512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM | |
K7M161825A-QI650 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7M161825A-QI75 | SAMSUNG |
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512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM | |
K7M161825A-QI750 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7M161825A-QI850 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7M161825M | SAMSUNG |
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512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM-TM | |
K7M161825M-HC10 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7M161825M-HC75 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119 | |
K7M161825M-HC85T | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119 | |
K7M161825M-HC90T | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PBGA119 |