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K7M161835B-QC65

更新时间： 2024-10-01 22:13:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
24页 453K
描述
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM

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K7M161835B-QC65 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
Is Samacsys：N最长访问时间：6.5 ns
最大时钟频率 (fCLK)：133 MHzI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PQFP-G100内存密度：18874368 bit
内存集成电路类型：ZBT SRAM内存宽度：18
湿度敏感等级：1端子数量：100
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX18
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：QFP封装等效代码：QFP100,.63X.87
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLATPACK
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：2.5,3.3 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.13 A最小待机电流：3.14 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.3 mA
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.635 mm端子位置：QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

K7M161835B-QC65 数据手册

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Preliminary  
512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAMTM  
K7N163631B  
K7N161831B  
Document Title  
512Kx36 & 1Mx18-Bit Pipelined NtRAMTM  
Revision History  
Draft Date  
Mar. 23, 2004  
May. 13, 2004  
Sep. 21. 2004  
Rev. No.  
History  
Remark  
0.0  
0.1  
0.2  
1. Initial document.  
Advance  
1. Update the current spec(Icc, ISB)  
Preliminary  
Preliminary  
1. Change the ISB,ISB1,ISB2  
- ISB ; from 120mA to 170mA  
- ISB1 ; from 80mA to 150mA  
- ISB2 ; from 80mA to 130mA  
Oct. 18, 2004  
Jan. 04, 2005  
0.3  
0.4  
1. Remove the 1.8V Vdd voltage level  
1. Remove the -20 and -13 speed bin  
Preliminary  
Preliminary  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
Jan. 2005  
Rev 0.4  
1234567...24

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7M161835B-QC650 SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 6.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7M161835B-QCI65 SAMSUNG

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 		512Kx36 & 1Mx18 Pipelined NtRAM
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