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K7M161825M-QC90T

更新时间： 2024-10-02 15:36:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
20页	347K
描述
ZBT SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PQFP100

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K7M161825M-QC90T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	9 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e0	内存密度：	18874368 bit
内存集成电路类型：	ZBT SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	3	端子数量：	100
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	1MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.03 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

K7M161825M-QC90T 数据手册

K7M163625M

K7M161825M

512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM^TM

Document Title

512Kx36 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAM^TM

Revision History

Rev. No.

History

Draft Date

Remark

0.0

0.1

0.2

1. Initial document.

March. 25. 1999

May. 27. 1999

June. 22. 1999

Preliminary

1. Update ICC & ISB values.

1. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -8 .

2. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -9 .

3. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -10 .

Sep. 04. 1999

Nov. 19. 1999

Preliminary

0.3

0.4

1. Change ISB value from 60mA to 80mA at -8.

2. Change ISB value from 50mA to 70mA at -9 .

3. Change ISB value from 40mA to 60mA at -10 .

1. Changed tCYC from 12ns to 10ns at -9 .

2. Changed DC condition at Icc and parameters

Icc ; from 300mA to 320mA at -8,

from 260mA to 300mA at -9,

from 240mA to 280mA at -10

3. Change pin allocation at 119BGA .

- A4 ; from NC to A .

- B2 ; from A to CS2

- B4 ; from CKE to ADV

- B6 ; from A to CS2

- G4 ; from ADV to A

- H4 ; from NC to WE

- M4 ; from WE toCKE

1.0

2.0

3.0

1. Final Spec Release.

Dec. 08. 1999

Nov. 23. 2000

Feb. 23. 2001

Final

Add access time 7.5ns bin.

1. Remove -10 bin ( tCD=10ns)

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

February 2001

Rev 3.0

12 3 4 5 6 7...20

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