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K7M161825A-QI850

更新时间： 2024-10-02 14:26:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
25页 298K
描述
ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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K7M161825A-QI850 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：QFP包装说明：LQFP,
针数：100Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.89最长访问时间：8.5 ns
其他特性：FLOW-THROUGH ARCHITECTUREJESD-30 代码：R-PQFP-G100
JESD-609代码：e0长度：20 mm
内存密度：18874368 bit内存集成电路类型：ZBT SRAM
内存宽度：18功能数量：1
端子数量：100字数：1048576 words
字数代码：1000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：1MX18封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：LQFP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK, LOW PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：230认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.6 mm最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：30
宽度：14 mmBase Number Matches：1

K7M161825A-QI850 数据手册

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K7M163625A  
K7M163225A  
K7M161825A  
512Kx36/32 & 1Mx18 Flow-Through NtRAMTM  
Document Title  
512Kx36/32 & 1Mx18-Bit Flow Through NtRAMTM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
0.2  
1. Initial document.  
1. Add JTAG Scan Order  
Feb. 23. 2001  
May. 10. 2001  
Aug. 03. 2001  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
1. Remove bin -90  
2. Updated DC characteristics(ICC,ISB,ISB1,ISB2)  
1. Add x32 org and industrial temperature .  
2. Add 165FBGA package  
0.3  
Aug. 30. 2001  
Preliminary  
1.0  
2.0  
2.1  
1. Final spec release  
May. 10. 2002  
Oct. 26, 2002  
April. 04. 2003  
Final  
Final  
Final  
1. Add the speed bin (-60)  
1. Delete 119BGA package.  
2. Correct the Ball Size of 165 FBGA.  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
April 2003  
Rev 2.1  
1234567...25

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7M161825M SAMSUNG

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 		512Kx36 & 1Mx18 Flow-Through NtRAM-TM
K7M161825M-HC10 SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7M161825M-HC75 SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119
K7M161825M-HC85T SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PBGA119
K7M161825M-HC90T SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PBGA119
K7M161825M-QC75T SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100
K7M161825M-QC85 SAMSUNG

获取价格

 		ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100
K7M161825M-QC90T SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 9ns, CMOS, PQFP100
K7M161825M-TC10 SAMSUNG

获取价格

 		ZBT SRAM, 1MX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7M161825M-TC85 SAMSUNG

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 		ZBT SRAM, 1MX18, 8.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

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