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K7A801800B-PC16

更新时间： 2024-11-16 21:02:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	416K
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Standard SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100

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K7A801800B-PC16 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	3.5 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	167 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e3	内存密度：	9437184 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	1	端子数量：	100
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP100,.63X.87
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5/3.3,3.3 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.06 A	最小待机电流：	3.14 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.35 mA
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K7A801800B-PC16 数据手册

K7A803600B

K7A801800B

256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM

8Mb Sync. Pipelined Burst SRAM

Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 5.0 April 2006

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K7A801800B-PI16	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7A801800B-PI160	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, ROHS COMPLIANT, TQFP-100
K7A801800B-PI16T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
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K7A801800B-QC16	SAMSUNG	获取价格	256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM
K7A801800B-QC160	SAMSUNG	获取价格	Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A801800B-QC16T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
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