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K7A801800M-HC20 PDF预览

K7A801800M-HC20

更新时间： 2024-09-28 14:51:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 时钟静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 540K
描述
Cache SRAM, 512KX18, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119

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K7A801800M-HC20 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：BGA包装说明：BGA, BGA119,7X17,50
针数：119Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.92最长访问时间：3.1 ns
其他特性：SELF-TIMED WRITE CYCLE最大时钟频率 (fCLK)：200 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B119
JESD-609代码：e0长度：22 mm
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：CACHE SRAM
内存宽度：18功能数量：1
端子数量：119字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：BGA
封装等效代码：BGA119,7X17,50封装形状：RECTANGULAR
封装形式：GRID ARRAY并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.03 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.49 mA最大供电电压 (Vsup)：3.465 V
最小供电电压 (Vsup)：3.135 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：BALL端子节距：1.27 mm
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：14 mmBase Number Matches：1

K7A801800M-HC20 数据手册

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K7A803600M  
K7A801800M  
256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
Initial draft  
April. 10 . 1998 Preliminary  
June .08. 1998 Preliminary  
Modify DC characteristics( Input Leakage Current test Conditions)  
form VDD=VSS to VDD to Max.  
0.2  
Change DC Characteristics.  
Aug . 27. 1998  
Preliminary  
ISB value from 80mA to 130mA at -16  
ISB value from 70mA to 120mA at -15  
ISB value from 65mA to 110mA at -14  
ISB value from 50mA to 100mA at -10  
ISB1 value from 10mA to 30mA  
ISB2 value from 10mA to 30mA  
0.3  
1. Remove speed bin -16.  
Sep. 09. 1998  
Preliminary  
2. Changed DC condition at Icc and parameters  
Icc ; from 400mA to 420mA at -15,  
from 375mA to 400mA at -14,  
from 300mA to 350mA at -10,  
ISB ; from 120mA to 150mA at -15,  
from 110mA to 130mA at -14,  
from 100mA to 120mA at -10,  
0.4  
0.5  
0.6  
1.0  
1. ADD x32 organization.  
Oct. 15. 1998  
Dec. 10. 1998  
Dec. 23. 1998  
Jan. 29. 1999  
Preliminary  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
1. ADD VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )  
1. Changed VOL Max value from 0.2V to 0.4V at 2.5V I/O.  
1. Final spec Release.  
2. Remove x32 organization.  
2.0  
3.0  
4.0  
5.0  
1. Remove VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )  
1. Add VDDQ Supply voltage( 2.5V I/O )  
1. Change tOE from 4.0ns to 3.8ns at -14 .  
Feb. 25. 1999  
Final  
May. 13. 1999 Final  
July. 05. 1999 Final  
1. Add tCYC 167MHz and 200MHz.  
2. Changed DC condition at Icc and parameters  
Icc ; from 420mA to 400mA at -15,  
from 400mA to 350mA at -14,  
Nov. 19. 1999  
Final  
from 350mA to 300mA at -10,  
6.0  
1. Change tCD from 4.0ns to 3.8ns at -14 .  
March 14. 2000 Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
March 2000  
Rev 6.0  
1234567...20

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7A801800M-HC200 SAMSUNG

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