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K7A801800B-QC14T

更新时间： 2024-11-16 13:09:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器
页数 文件大小 规格书
18页 401K
描述
Standard SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100

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K7A801800B-QC14T 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
最长访问时间：3.8 ns最大时钟频率 (fCLK)：138 MHz
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PQFP-G100
内存密度：9437184 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：18湿度敏感等级：1
端子数量：100字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX18输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：QFP
封装等效代码：QFP100,.63X.87封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLATPACK并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：225电源：2.5/3.3,3.3 V
认证状态：Not Qualified最大待机电流：0.06 A
最小待机电流：3.14 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.3 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.635 mm
端子位置：QUAD处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

K7A801800B-QC14T 数据手册

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K7A803609B  
K7A801809B  
256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM  
Revision History  
Rev. No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
0.2  
0.3  
1.0  
Initial draft  
May. 18 . 2001  
Preliminary  
1. Delete pass- through  
June. 26. 2001 Preliminary  
1. Add x32 org part and industrial temperature part  
1. change scan order(1) form 4T to 6T at 119BGA(x18)  
Aug. 11. 2001  
Aug. 28. 2001  
Nov. 16. 2001  
Preliminary  
Preliminary  
Final  
1. Final spec release  
2. Change ISB2 form 50mA to 60mA  
2.0  
2.1  
3.0  
Remove tCYC 225MHz(-22)  
1. Delete 119BGA package  
April. 01. 2002 Final  
April. 04. 2003 Final  
1. Remove x32 organization  
2. Remove -20 speed bin  
Nov. 17. 2003  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
- 1 -  
Nov. 2003  
Rev 3.0  
1234567...18

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与K7A801800B-QC14T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K7A801800B-QC16 SAMSUNG

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 		256Kx36 & 512Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM
K7A801800B-QC160 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A801800B-QC16T SAMSUNG

获取价格

 		Standard SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100
K7A801800B-QI140 SAMSUNG

获取价格

 		Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A801800B-QI14T SAMSUNG

获取价格

 		Standard SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100
K7A801800B-QI160 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 512KX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100
K7A801800M SAMSUNG

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 		256Kx36 & 512Kx18 Synchronous SRAM
K7A801800M-HC14 SAMSUNG

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 		Cache SRAM, 512KX18, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119
K7A801800M-HC140 SAMSUNG

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