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K6T0908U2B-TB10

更新时间： 2024-01-10 02:00:23

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	150K
描述
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

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K6T0908U2B-TB10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.025 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K6T0908U2B-TB10 数据手册

K6T0908V2B, K6T0908U2B Family

CMOS SRAM

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(1) (WE Controlled)

tWC

Address

tCW(2)

tWR(4)

CS1

tAW

CS2

tCW(2)

tWP(1)

tAS(3)

tDW

tDH

Data Valid

Data in

tWHZ

tOW

Data Undefined

Data out

TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE(2) (CS¹Controlled)

tWC

Address

CS1

tCW(2)

tAS(3)

tWR(4)

tAW

CS2

tWP(1)

tDW

tDH

Data in

Data out

Data Valid

High-Z

Revision 1.0

August 1998

1...4 5 678 9

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