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K6T0908U2B-TB10

更新时间： 2024-02-05 19:32:34

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	150K
描述
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

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技术参数
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K6T0908U2B-TB10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最长访问时间：	100 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	524288 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	65536 words
字数代码：	64000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.025 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K6T0908U2B-TB10 数据手册

K6T0908V2B, K6T0908U2B Family

CMOS SRAM

PACKAGE DIMENSIONS

Units: millimeter(Inch)

32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0820F)

+0.10

-0.05

+0.004

20.00±0.20

0.787±0.008

0.20

0.008

-0.002

#32

0.25

(

)

0.010

8.40

0.331

MAX

0.50

0.0197

#16

#17

1.00±0.10

0.039±0.004

0.05

0.002

MIN

1.20

MAX

0.047

0.25

0.010

18.40±0.10

0.724±0.004

TYP

+0.10

0.15

-0.05

0.006^+0.004

-0.002

0~8°

0.45 ~0.75

0.018 ~0.030

0.50

0.020

(

)

32 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE I (0813.4F)

+0.10

-0.05

+0.004

13.40±0.10

0.528±0.008

0.20

0.008

-0.002

#32

0.25

0.010

(

)

8.40

0.331

MAX

0.50

0.0197

#16

#17

1.00±0.10

0.039±0.004

0.05

0.002

MIN

1.20

0.047

MAX

0.25

0.010

TYP

11.80±0.10

0.465±0.004

+0.10

-0.05

0.15

+0.004

0.006

-0.002

0~8°

0.50

0.020

0.45 ~0.75

0.018 ~0.030

(

)

Revision 1.0

August 1998

1...6 7 89

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