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K6T0908U2B-TB10 PDF预览

K6T0908U2B-TB10

更新时间： 2024-02-06 15:15:36
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 150K
描述
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

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K6T0908U2B-TB10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TSSOP, TSSOP32,.8,20Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.88最长访问时间：100 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0内存密度：524288 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：32字数：65536 words
字数代码：64000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：64KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP32,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：3 V认证状态：Not Qualified
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.025 mA标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

K6T0908U2B-TB10 数据手册

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K6T0908V2B, K6T0908U2B Family  
CMOS SRAM  
RECOMMENDED DC OPERATING CONDITIONS1)  
Item  
Symbol  
Product  
K6T0908V2B Family  
Min  
3.0  
2.7  
0
Typ  
3.3  
3.0  
0
Max  
Unit  
V
3.6  
Supply voltage  
Vcc  
K6T0908U2B Family  
3.3  
V
Ground  
Vss  
VIH  
VIL  
All Family  
0
V
Vcc+0.3V2)  
0.6  
Input high voltage  
Input low voltage  
Note:  
K6T0908V2B, K6T0908U2B Family  
K6T0908V2B, K6T0908U2B Family  
2.2  
-0.33)  
-
V
-
V
1. Commercial Product : TA=0 to 70°C, otherwise specified  
Industrial Product : TA=-40 to 85°C, otherwise specified  
2. Overshoot : VCC+3.0V in case of pulse width £ 30ns  
3. Undershoot : -3.0V in case of pulse width £ 30ns  
4. Overshoot and undershoot are sampled, not 100% tested  
CAPACITANCE1) (f=1MHz, TA=25°C)  
Item  
Input capacitance  
Symbol  
CIN  
Test Condition  
VIN=0V  
Min  
Max  
Unit  
-
-
6
8
pF  
pF  
Input/Output capacitance  
CIO  
VIO=0V  
1. Capacitance is sampled, not 100% tested  
DC AND OPERATING CHARACTERISTICS  
Item  
Symbol  
ILI  
Test Conditions  
Min  
-1  
-1  
-
Typ Max Unit  
Input leakage current  
Output leakage current  
Operating power supply  
VIN=Vss to Vcc  
-
-
-
1
1
5
mA  
mA  
ILO  
CS1=VIH or CS2=VIL or OE=VIH or WE=VIL, VIO=Vss to Vcc  
IIO=0mA, CS1=VIL, CS2=VIH, VIN=VIH or VIL, Read  
ICC  
mA  
Cycle time=1ms, 100% duty, IIO=0mA,  
CS1£0.2V, CS2³ Vcc-0.2V, VIN£0.2V or VIN³ Vcc-0.2V  
ICC1  
ICC2  
-
-
5
mA  
Average operating current  
K6T0908V2B  
K6T0908U2B  
-
-
-
-
-
-
-
30  
25  
0.4  
-
mA  
mA  
V
Cycle time=Min, 100% duty, IIO=0mA  
CS1=VIL, CS2=VIH, VIN=VIL or VIH  
-
Output low voltage  
VOL  
VOH  
ISB  
IOL=2.1mA  
-
2.4  
-
Output high voltage  
Standby Current(TTL)  
Standby Current (CMOS)  
IOH=-1.0mA  
V
CS1=VIH, CS2=VIL, Other inputs=VIL or VIH  
0.3  
10  
mA  
mA  
CS1³ Vcc-0.2V, CS2³ Vcc-0.2V, or CS2£0.2V, Other inputs=0~Vcc  
ISB1  
-
Revision 1.0  
August 1998  
4
1234567...9

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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