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K6R1004C1C-JC20T

更新时间： 2024-11-06 14:51:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 136K
描述
Standard SRAM, 256KX4, 20ns, CMOS, PDSO32

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K6R1004C1C-JC20T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SOJ, SOJ32,.44Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：20 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J32
JESD-609代码：e0内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：4
端子数量：32字数：262144 words
字数代码：256000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256KX4输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装等效代码：SOJ32,.44封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE并行/串行：PARALLEL
电源：5 V认证状态：Not Qualified
最大待机电流：0.005 A最小待机电流：4.5 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.065 mA
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

K6R1004C1C-JC20T 数据手册

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PRELIMINARY  
PRELIMINARY  
CMOS SRAM  
K6R1004C1C-C/C-L, K6R1004C1C-I/C-P  
Document Title  
256Kx4 Bit (with OE) High-Speed CMOS Static RAM(5.0V Operating).  
Preliminary  
CCPCCCRCELIMINARY  
Revision History  
Rev.No.  
Rev. 0.0  
Rev. 1.0  
History  
Draft Data  
Aug. 5. 1998  
Mar. 3. 1999  
Remark  
Preliminary  
Final  
Initial release with Preliminary.  
Release to Final Data Sheet.  
1.1. Delete Preliminary.  
Rev. 2.0  
Add 10ns & Low Power Ver.  
Apr. 24. 2000  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Revision 2.0  
April 2000  
- 1 -  
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