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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSSOP, TSSOP32,.56,20 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.56,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.000001 A |
| 最小待机电流： | 1.5 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.035 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6F1008V2C-LF70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32 |
|
| K6F1008V2C-YF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
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| K6F1008V2C-YF550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
|
| K6F1008V2C-YF55T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
|
| K6F1008V2C-YF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Super Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM |
|
| K6F1008V2C-YF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, TSOP1-32 |
|
| K6F1008V2M-GI85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
|
| K6F1008V2M-TC70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
|
| K6F1008V2M-TC700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
|
| K6F1008V2M-TI70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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