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K4T51083QM-GLD4

更新时间： 2024-11-19 15:46:39

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K4T51083QM-GLD4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA60,9X11,32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.79	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.6 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e0
长度：	14.5 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	4,8
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	12.3 mm	Base Number Matches：	1

512Mb M-die DDR2 SDRAM

Preliminary

512Mb M-die DDR2 SDRAM Specification

Version 0.92

Rev. 0.92 (Jun. 2003)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4T51083QN-BCF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4T51083QQ-BCF70	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.4ns, CMOS, PBGA60, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4T51163QB	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51163QB-GCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51163QB-GCD5	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51163QB-GLD50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84
K4T51163QB-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51163QB-ZCD5	SAMSUNG	获取价格	512Mb B-die DDR2 SDRAM
K4T51163QB-ZCD50	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84, ROHS COMPLIANT, FBGA-84
K4T51163QC-ZCCC	SAMSUNG	获取价格	512Mb C-die DDR2 SDRAM