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K4T1G164QD

更新时间: 2024-02-10 07:14:21
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三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
27页 587K
描述
1Gb D-die DDR2 SDRAM Specification

K4T1G164QD 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:BGA, BGA92,9X21,32
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
访问模式:MULTI BANK PAGE BURST最长访问时间:0.6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B92长度:21.7 mm
内存密度:1073741824 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:16湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:92字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:64MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA92,9X21,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY峰值回流温度(摄氏度):260
电源:1.8 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:4,8
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):1.9 V
最小供电电压 (Vsup):1.7 V标称供电电压 (Vsup):1.8 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:11 mm

K4T1G164QD 数据手册

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K4T1G084QD  
K4T1G164QD  
DDR2 SDRAM  
tDS1, tDH1 Derating Values for DDR2-400, DDR2-533(All units in ‘ps’; the note applies to the entire table)  
DQS Single-ended Slew Rate  
0.9 V/ns 0.8 V/ns 0.7 V/ns  
2.0 V/ns  
1.5 V/ns  
1.0 V/ns  
0.6 V/ns  
0.5 V/ns  
0.4 V/ns  
tDS tDH tDS tDH tDS tDH tDS tDH tDS tDH tDS tDH tDS tDH tDS tDH tDS tDH  
1
188  
1
188  
1
167  
125  
42  
31  
-
1
146  
125  
83  
69  
-
1
125  
83  
0
1
63  
42  
0
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
1
-
-
1
-
1
-
1
-
1
-
-
-
-
-
-
1
-
-
-
-
-
-
2.0  
1.5  
1.0  
0.9  
0.8  
0.7  
0.6  
0.5  
0.4  
146  
167  
81  
-2  
-13  
-27  
-45  
-
43  
1
-
-
-
-
-
-
-
-
63  
-
125  
-7  
-18  
-32  
-50  
-74  
-
-13  
-27  
-44  
-67  
-96  
-
-
-
-
-
-
DQ  
Slew  
rate  
-
-
-
-
-
-
-11  
-25  
-
-14  
-31  
-
-13  
-30  
-53  
-
-29  
-43  
-61  
-85  
-45  
-62  
-85  
-
-
-
-
-
-60  
-78  
-86  
-
-
-
-
-
-109 -108 -152  
V/ns  
-
-
-
-
-
-114 -102 -138 -138 -181 -183 -246  
-
-
-
-
-
-
-
-128 -156 -145 -180 -175 -223 -226 -288  
-210 -243 -240 -286 -291 -351  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
For all input signals the total tDS (setup time) and tDH (hold time) required is calculated by adding the data sheet tDS(base) and tDH(base) value to the  
tDS and tDH derating value respectively. Example: tDS (total setup time) = tDS(base) + tDS.  
22 of 29  
Rev. 1.0 March 2007  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4T1G164QD-ZCCC SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84

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K4T1G164QD-ZCCCT SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.6ns, CMOS, PBGA84

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K4T1G164QD-ZCD5T SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.5ns, CMOS, PBGA84

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K4T1G164QD-ZCE60 SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, FBGA-84

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K4T1G164QD-ZCE6T SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84

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K4T1G164QD-ZCE7 SAMSUNG DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84

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