K4T1G044QQ-HCF7T

更新时间： 2024-11-12 08:46:15

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三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
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45页	977K
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DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60

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K4T1G044QQ-HCF7T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA60,9X11,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	0.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B60
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	端子数量：	60
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
组织：	256MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA60,9X11,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	4,8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.245 mA	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

K4T1G044QQ-HCF7T 数据手册

K4T1G044QQ

K4T1G084QQ

K4T1G164QQ

DDR2 SDRAM

1Gb Q-die DDR2 SDRAM Specification

60FBGA & 84FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

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Rev. 1.2 December 2008

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