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K4S561632D-NL600

更新时间： 2024-02-15 03:59:05

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	46K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, STSOP2-54

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K4S561632D-NL600 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SOP,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K4S561632D-NL600 数据手册

K4S561632D

CMOS SDRAM

DC CHARACTERISTICS

(Recommended operating condition unless otherwise noted, TA = 0 to 70°C)

Version

Parameter

Symbol

Test Condition

Unit Note

-60

-7C

-75

-1H -1L

Burst length = 1

tRC ³ tRC(min)

IO = 0 mA

Operating current

(One bank active)

ICC1

150 110

100

100 100

ICC2P

CKE £ VIL(max), tCC = 10ns

Precharge standby cur-

rent in power-down mode

ICC2PS

CKE & CLK £ VIL(max), tCC = ¥

CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 10ns

ICC2N

Precharge standby cur-

rent in non power-down

mode

Input signals are changed one time during 20ns

CKE ³ VIH(min), CLK £ VIL(max), tCC = ¥

Input signals are stable

ICC2NS

ICC3P

CKE £ VIL(max), tCC = 10ns

Active standby current in

power-down mode

ICC3PS

CKE & CLK £ VIL(max), tCC = ¥

CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 10ns

Input signals are changed one time during 20ns

ICC3N

Active standby current in

non power-down mode

(One bank active)

CKE ³ VIH(min), CLK £ VIL(max), tCC = ¥

Input signals are stable

ICC3NS

IO = 0 mA

Operating current

(Burst mode)

Page burst

ICC4

180 140

220 220

140

130 130

190 190

4banks Activated.

tCCD = 2CLKs

Refresh current

ICC5

ICC6

tRC ³ tRC(min)

200

Self refresh current

CKE £ 0.2V

1.5

Notes :

1. Measured with outputs open.

2. Refresh period is 64ms.

3. K4S561632D-NC**

4. K4S561632D-NL**

5. Unless otherwise noticed, input swing level is CMOS(VIH/VIL=VDDQ/VSSQ).

Rev. 0.1 Aug. 2002

1...3 4 567 8 9

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与K4S561632D-NL600相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4S561632D-NL75	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-5	获取价格
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K4S561632D-TC/L60	SAMSUNG	256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	获取价格
K4S561632D-TC/L75	SAMSUNG	256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL	获取价格