5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > K4S561632D-NL600
K4S561632D-NL600 PDF预览

K4S561632D-NL600

更新时间： 2024-02-27 19:20:32
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 46K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, STSOP2-54

阅读下载

获取价格

K4S561632D-NL600 技术参数

生命周期：Active包装说明：SOP,
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.69访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：5 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PDSO-G54内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：16
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
Base Number Matches：1

K4S561632D-NL600 数据手册

 浏览型号K4S561632D-NL600的Datasheet PDF文件第1页浏览型号K4S561632D-NL600的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4S561632D-NL600的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4S561632D-NL600的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4S561632D-NL600的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4S561632D-NL600的Datasheet PDF文件第7页 
K4S561632D  
CMOS SDRAM  
PIN CONFIGURATION (Top view)  
VSS  
DQ15  
VSSQ  
DQ14  
DQ13  
VDDQ  
DQ12  
DQ11  
VSSQ  
DQ10  
DQ9  
VDDQ  
DQ8  
VSS  
NC  
VDD  
DQ0  
VDDQ  
DQ1  
DQ2  
VSSQ  
DQ3  
DQ4  
VDDQ  
DQ5  
DQ6  
VSSQ  
DQ7  
VDD  
LDQM  
WE  
1
54  
53  
52  
51  
50  
49  
48  
47  
46  
45  
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
37  
36  
35  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
2
3
4
5
6
7
8
54 PIN sTSOP(II)  
300mil x 551mil  
(7.62mm x 14.00mm)  
9
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
(0.5 mm PIN PITCH)  
Bank Address  
BA0-BA1  
UDQM  
CLK  
CKE  
A12  
RowAddress  
A0-A12  
CAS  
RAS  
CS  
Auto Precharge  
A10  
A11  
BA0  
20  
21  
22  
23  
A9  
BA1  
A8  
AP/A10  
A0  
A7  
A6  
A1  
24  
25  
26  
27  
A5  
A2  
A4  
A3  
VSS  
VDD  
PIN FUNCTION DESCRIPTION  
Pin  
Name  
System cock  
Input Function  
Active on the positive going edge to sample all inputs.  
CLK  
CS  
Disables or enables device operation by masking or enabling all inputs except  
CLK, CKE and DQM  
Chip select  
Masks system clock to freeze operation from the next clock cycle.  
CKE should be enabled at least one cycle prior to new command.  
Disable input buffers for power down in standby.  
CKE  
Clock enable  
Row/column addresses are multiplexed on the same pins.  
Row address : RA0 ~ RA12, Column address : CA 0 ~ CA8  
A0 ~ A12  
BA0 ~ BA1  
RAS  
Address  
Selects bank to be activated during row address latch time.  
Selects bank for read/write during column address latch time.  
Bank select address  
Row address strobe  
Column address strobe  
Write enable  
Latches row addresses on the positive going edge of the CLK with RAS low.  
Enables row access & precharge.  
Latches column addresses on the positive going edge of the CLK with CAS low.  
Enables column access.  
CAS  
Enables write operation and row precharge.  
Latches data in starting from CAS, WE active.  
WE  
Makes data output Hi-Z, tSHZ after the clock and masks the output.  
Blocks data input when L(U)DQM active.  
L(U)DQM  
Data input/output mask  
DQ0 ~ 15  
VDD/VSS  
Data input/output  
Data inputs/outputs are multiplexed on the same pins.  
Power and ground for the input buffers and the core logic.  
Power supply/ground  
Isolated power supply and ground for the output buffers to provide improved noise  
immunity.  
VDDQ/VSSQ  
Data output power/ground  
No connection  
/reserved for future use  
N.C/RFU  
This pin is recommended to be left No Connection on the device.  
Rev. 0.1 Aug. 2002  
1234567...9

下载PDF

与K4S561632D-NL600相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4S561632D-NL75 SAMSUNG Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-5

获取价格
K4S561632D-NL7C0 SAMSUNG Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, STSOP2-54

获取价格
K4S561632D-TC/L1H SAMSUNG 256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

获取价格
K4S561632D-TC/L1L SAMSUNG 256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

获取价格
K4S561632D-TC/L60 SAMSUNG 256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

获取价格
K4S561632D-TC/L75 SAMSUNG 256Mbit SDRAM 4M x 16bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

获取价格

与K4S561632D-NL600相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证