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K4S561632D-NC7C0

更新时间： 2024-01-17 00:06:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	46K
描述
Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, STSOP2-54

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K4S561632D-NC7C0 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SOP,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.69	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	5.4 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	16777216 words
字数代码：	16000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	16MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K4S561632D-NC7C0 数据手册

K4S561632D

CMOS SDRAM

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Voltage on any pin relative to Vss

Voltage on VDD supply relative to Vss

Storage temperature

Symbol

VIN, VOUT

VDD, VDDQ

TSTG

Value

-1.0 ~ 4.6

-55 ~ +150

Unit

°C

Power dissipation

Short circuit current

IOS

Note :

Permanent device damage may occur if "ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS" are exceeded.

Functional operation should be restricted to recommended operating condition.

Exposure to higher than recommended voltage for extended periods of time could affect device reliability.

DC OPERATING CONDITIONS

Recommended operating conditions (Voltage referenced to VSS = 0V, TA = -0 to 70°C)

Parameter

Supply voltage

Symbol

VDD, VDDQ

VIH

Min

3.0

2.0

-0.3

2.4

Typ

Max

3.6

Unit

Note

3.3

Input logic high voltage

Input logic low voltage

Output logic high voltage

Output logic low voltage

Input leakage current

3.0

VDD+0.3

0.8

VIL

VOH

IOH = -2mA

IOL = 2mA

VOL

0.4

ILI

-10

Notes :

1. VIH (max) = 5.6V AC. The overshoot voltage duration is £ 3ns.

2. VIL (min) = -2.0V AC. The undershoot voltage duration is £ 3ns.

3. Any input 0V £ VIN £ VDDQ.

Input leakage currents include Hi-Z output leakage for all bi-directional buffers with Tri-State outputs.

4. The VDD condition of K4S561632D-60 is 3.135V~3.6V.

CAPACITANCE (VDD = 3.3V, TA = 23°C, f = 1MHz, VREF =1.4V ± 200 mV)

Symbol

CCLK

CIN

Min

2.5

4.0

Max

4.0

5.0

6.5

Unit

Note

Clock

RAS, CAS, WE, CS, CKE, DQM

Address

CADD

COUT

DQ0 ~ DQ15

Notes :

1. -75/7C only specify a maximum value of 3.5pF

2. -75/7C only specify a maximum value of 3.8pF

3. -75/7C only specify a maximum value of 6.0pF

Rev. 0.1 Aug. 2002

1 2 3 456 7 8 9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K4S561632D-NL1H	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54	获取价格
K4S561632D-NL1H0	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, STSOP2-54	获取价格
K4S561632D-NL1L	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54	获取价格
K4S561632D-NL1L0	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, PDSO54, STSOP2-54	获取价格
K4S561632D-NL60	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54	获取价格
K4S561632D-NL600	SAMSUNG	Synchronous DRAM, 16MX16, 5ns, CMOS, PDSO54, STSOP2-54	获取价格

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