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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | SOP, TSSOP54,.36,20 |
| 针数： | 54 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.9 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 5.4 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 133 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 1,2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G54 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | SYNCHRONOUS DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 54 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装等效代码： | TSSOP54,.36,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 1,2,4,8,FP |
| 最大待机电流： | 0.002 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.2 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K4S560832D-NL750 | SAMSUNG | Synchronous DRAM, 32MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 7.62 X 14 MM, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54 |
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| K4S560832D-TC/L1H | SAMSUNG | 256Mbit SDRAM 8M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S560832D-TC/L1L | SAMSUNG | 256Mbit SDRAM 8M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S560832D-TC/L75 | SAMSUNG | 256Mbit SDRAM 8M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S560832D-TC/L7C | SAMSUNG | 256Mbit SDRAM 8M x 8bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
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| K4S560832D-TC1H | SAMSUNG | 32Mx64 SDRAM DIMM based on 32Mx8, 4Banks, 8K Refresh, 3.3V Synchronous DRAMs with SPD |
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