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K4S51323PF-EF900

更新时间： 2024-11-21 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	142K
描述
Synchronous DRAM, 16MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90

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K4S51323PF-EF900 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.83	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PBGA-B90	JESD-609代码：	e1
长度：	13 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	16777216 words	字数代码：	16000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：	-25 °C	组织：	16MX32
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	LFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.4 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4S51323PF-EF900 数据手册

K4S51323PF-M(E)F

Mobile-SDRAM

4M x 32Bit x 4 Banks Mobile-SDRAM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

• 1.8V power supply.

The K4S51323PF is 536,870,912 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 4,196,304 words by 32 bits,

fabricated with SAMSUNG’s high performance CMOS technol-

ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock and I/O transactions are possible on every

clock cycle. Range of operating frequencies, programmable

burst lengths and programmable latencies allow the same

device to be useful for a variety of high bandwidth and high per-

• LVCMOS compatible with multiplexed address.

• Four banks operation.

• MRS cycle with address key programs.

-. CAS latency (1, 2 & 3).

-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page).

-. Burst type (Sequential & Interleave).

• EMRS cycle with address key programs.

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system formance memory system applications.

clock.

• Burst read single-bit write operation.

• Special Function Support.

-. PASR (Partial Array Self Refresh).

-. Internal TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)

-. DS (Driver Strength)

• DQM for masking.

• Auto refresh.

• 64ms refresh period (8K cycle).

• Commercial Temperature Operation (-25°C ~ 70°C).

• 2Chips DDP 90Balls FBGA( -MXXX -Pb, -EXXX -Pb Free).

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface

Package

K4S51323PF-M(E)F75

K4S51323PF-M(E)F90

K4S51323PF-M(E)F1L

133MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

111MHz(CL=3),83MHz(CL=2)

90 FBGA Pb

(Pb Free)

LVCMOS

111MHz(CL=3)^*1,66MHz(CL2)

- M(E)F : Low Power, Commercial Temperature(-25°C ~ 70°C)

Notes :

1. In case of 40MHz Frequency, CL1 can be supported.

2. Samsung are not designed or manufactured for use in a device or system that is used under circumstance in which human life is

potentially at stake. Please contact to the memory marketing team in samsung electronics when considering the use of a product

contained herein for any specific purpose, such as medical, aerospace, nuclear, military, vehicular or undersea repeater use.

Address configuration

Organization

Bank

Row

Column Address

16Mx32

BA0,BA1

A0 - A12

A0 - A8

September 2004

12 3 4 5 6 7...12

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K4S51323PF-MEF90	SAMSUNG	获取价格	4M x 32Bit x 4 Banks Mobile-SDRAM
K4S51323PF-MF1L	SAMSUNG	获取价格	4M x 32Bit x 4 Banks Mobile-SDRAM
K4S51323PF-MF75	SAMSUNG	获取价格	4M x 32Bit x 4 Banks Mobile-SDRAM
K4S51323PF-MF90	SAMSUNG	获取价格	4M x 32Bit x 4 Banks Mobile-SDRAM
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