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K4S283233F-HN1H0

更新时间： 2024-01-10 10:14:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	140K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, LEAD FREE, FBGA-90

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K4S283233F-HN1H0 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TFBGA,
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	4MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	8 mm	Base Number Matches：	1

K4S283233F-HN1H0 数据手册

K4S283233F - F(H)E/N/G/C/L/F

Mobile-SDRAM

1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

• 3.0V & 3.3V power supply.

The K4S283233F is 134,217,728 bits synchronous high data

rate Dynamic RAM organized as 4 x 1,048,576 words by 32 bits,

fabricated with SAMSUNG’s high performance CMOS technol-

ogy. Synchronous design allows precise cycle control with the

use of system clock and I/O transactions are possible on every

clock cycle. Range of operating frequencies, programmable

burst lengths and programmable latencies allow the same

device to be useful for a variety of high bandwidth and high per-

formance memory system applications.

• LVCMOS compatible with multiplexed address.

• Four banks operation.

• MRS cycle with address key programs.

-. CAS latency (1, 2 & 3).

-. Burst length (1, 2, 4, 8 & Full page).

-. Burst type (Sequential & Interleave).

• EMRS cycle with address key programs.

• All inputs are sampled at the positive going edge of the system

clock.

• Burst read single-bit write operation.

• Special Function Support.

-. PASR (Partial Array Self Refresh).

-. Internal TCSR (Temperature Compensated Self Refresh)

• DQM for masking.

• Auto refresh.

• 64ms refresh period (4K cycle).

• Commercial Temperature Operation (-25°C ~ 70°C).

• Extended Temperature Operation (-25°C ~ 85°C).

• 90Balls FBGA with 0.8mm ball pitch

( -FXXX : Leaded, -HXXX : Lead Free).

ORDERING INFORMATION

Part No.

Max Freq.

Interface

Package

K4S283233F-F(H)E/N/G/C/L/F60

K4S283233F-F(H)E/N/G/C/L/F75

K4S283233F-F(H)E/N/G/C/L/F1H

K4S283233F-F(H)E/N/G/C/L/F1L

166MHz(CL=3)

133MHz(CL=3)

105MHz(CL=2)

90 FBGA

Leaded (Lead Free)

LVCMOS

105MHz(CL=3)^*1

- F(H)E/N/G : Normal / Low/ Low Power, Extended Temperature(-25°C ~ 85°C)

- F(H)C/L/F : Normal / Low / Low Power, Commercial Temperature(-25°C ~ 70°C)

NOTES :

1. In case of 40MHz Frequency, CL1 can be supported.

2. Samsung are not designed or manufactured for use in a device or system that is used under circumstance in which human life is potentially at stake.

Please contact to the memory marketing team in samsung electronics when considering the use of a product contained herein for any specific

purpose, such as medical, aerospace, nuclear, military, vehicular or undersea repeater use.

February 2004

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