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K4S283233F-MI1H

更新时间： 2024-02-04 00:28:17

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	63K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90

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K4S283233F-MI1H 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA, BGA90,9X15,32
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	6 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	105 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	1,2,4,8	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
JESD-609代码：	e0	长度：	13 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度：	32	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	90
字数：	4194304 words	字数代码：	4000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	4MX32
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装等效代码：	BGA90,9X15,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
座面最大高度：	1.45 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	1,2,4,8,FP	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.22 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4S283233F-M(E)E/N/I/P

CMOS SDRAM

4Mx32

Mobile SDRAM

90FBGA

(VDD/VDDQ 3.0V/3.0V or 3.3V/3.3V)

Revision 1.5

December 2002

Rev. 1.5 Dec. 2002

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S283233F-MI75	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4S283233F-MN1H	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4S283233F-MP1H	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, FBGA-90
K4S283233F-N	SAMSUNG	获取价格	1M x 32Bit x 4 Banks Mobile SDRAM in 90FBGA
K4S283234F-ME1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, CSP, FBGA-90
K4S283234F-ME1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, CSP, FBGA-90
K4S283234F-MN1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, CSP, FBGA-90
K4S28323LE-DC1H	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90
K4S28323LE-DC1H0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-90
K4S28323LE-DC60	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90