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K4S283234F-ME1L0

更新时间： 2024-09-28 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	66K
描述
Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, CSP, FBGA-90

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K4S283234F-ME1L0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	LFBGA,
针数：	90	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PBGA-B90
长度：	13 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	SYNCHRONOUS DRAM	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	90	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-25 °C
组织：	4MX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	LFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.45 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	11 mm
Base Number Matches：	1

K4S283234F-M

CMOS SDRAM

4Mx32 SDRAM

90FBGA

(VDD 2.5V, VDDQ 2.5V)

Revision 0.0

November 2001

Rev. 0.0 Nov. 2001

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4S283234F-MN1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, CSP, FBGA-90
K4S28323LE-DC1H	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90
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K4S28323LE-DE1L	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90
K4S28323LE-DE1L0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-90
K4S28323LE-DE60	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90
K4S28323LE-DE750	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-90
K4S28323LE-DL1H0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PBGA90, 11 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-90