5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > K4S280832D-NL7C
K4S280832D-NL7C PDF预览

K4S280832D-NL7C

更新时间： 2024-01-25 18:43:56
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 113K
描述
Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54

阅读下载

获取价格

K4S280832D-NL7C 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP,针数：54
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.83
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G54
长度：11.2 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.4 mm
端子位置：DUAL宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4S280832D-NL7C 数据手册

 浏览型号K4S280832D-NL7C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4S280832D-NL7C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4S280832D-NL7C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4S280832D-NL7C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号K4S280832D-NL7C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号K4S280832D-NL7C的Datasheet PDF文件第9页 
K4S280832D  
CMOS SDRAM  
DC CHARACTERISTICS  
(Recommended operating condition unless otherwise noted, TA = 0 to 70°C)  
Version  
Parameter  
Symbol  
Test Condition  
Burst length = 1  
tRC ³ tRC(min)  
IO = 0 mA  
Unit Note  
-7C  
-75  
-1H  
-1L  
Operating current  
(One bank active)  
ICC1  
100  
90  
90  
90  
mA  
mA  
1
ICC2P  
CKE £ VIL(max), tCC = 10ns  
2
2
Precharge standby current  
in power-down mode  
ICC2PS CKE & CLK £ VIL(max), tCC = ¥  
CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 10ns  
ICC2N  
20  
10  
Input signals are changed one time during 20ns  
Precharge standby current  
in non power-down mode  
mA  
mA  
CKE ³ VIH(min), CLK £ VIL(max), tCC = ¥  
ICC2NS  
Input signals are stable  
ICC3P  
CKE £ VIL(max), tCC = 10ns  
5
5
Active standby current in  
power-down mode  
ICC3PS CKE & CLK £ VIL(max), tCC = ¥  
CKE ³ VIH(min), CS ³ VIH(min), tCC = 10ns  
ICC3N  
30  
25  
mA  
mA  
Active standby current in  
non power-down mode  
(One bank active)  
Input signals are changed one time during 20ns  
CKE ³ VIH(min), CLK £ VIL(max), tCC = ¥  
ICC3NS  
Input signals are stable  
IO = 0 mA  
Operating current  
(Burst mode)  
Page burst  
4Banks Activated  
tCCD = 2CLKs  
ICC4  
110  
220  
110  
200  
100  
190  
100  
190  
mA  
1
Refresh current  
ICC5  
ICC6  
tRC ³ tRC(min)  
CKE £ 0.2V  
mA  
mA  
uA  
2
3
4
C
L
2
Self refresh current  
800  
Notes :  
1. Measured with outputs open.  
2. Refresh period is 64ms.  
3. K4S280832D-TC**  
4. K4S280832D-TL**  
5. Unless otherwise noted, input swing IeveI is CMOS(VIH /VIL=VDDQ/VSSQ)  
Rev. 0.1 Sept. 2001  
1...3456789...11

下载PDF

与K4S280832D-NL7C相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4S280832D-TB1H SAMSUNG Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

获取价格
K4S280832D-TB75 SAMSUNG Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

获取价格
K4S280832D-TC/L1H SAMSUNG 128Mbit SDRAM (4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM)

获取价格
K4S280832D-TC/L1L SAMSUNG 128Mbit SDRAM (4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM)

获取价格
K4S280832D-TC/L75 SAMSUNG 128Mbit SDRAM (4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM)

获取价格
K4S280832D-TC/L7C SAMSUNG 128Mbit SDRAM (4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM)

获取价格

与K4S280832D-NL7C相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证