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K4S280832D-TI1L

更新时间: 2024-02-21 18:15:18
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 79K
描述
Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

K4S280832D-TI1L 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP2,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.31
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:6 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:16MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4S280832D-TI1L 数据手册

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K4S280832D  
CMOS SDRAM  
128Mbit SDRAM  
(Industrial Temp Support)  
4M x 8Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
LVTTL  
Rev. 0.1  
Sept. 2001  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev. 0.1 Sept. 2001  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4S280832D-TP1L SAMSUNG Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54

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