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K4S280832B-TL75

更新时间: 2024-01-28 22:28:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
10页 125K
描述
4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM

K4S280832B-TL75 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP54,.46,32
针数:54Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.27Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:1,2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G54JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP54,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:1,2,4,8,FP
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.22 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

K4S280832B-TL75 数据手册

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K4S280832B  
CMOS SDRAM  
66MHz and 100MHz Pull-up  
1.5 2.5  
IBIS SPECIFICATION  
0
0.5  
1
2
3
3.5  
IOH Characteristics (Pull-up)  
0
-100  
-200  
-300  
-400  
-500  
-600  
100MHz  
Min  
I (mA)  
100MHz  
66MHz  
Min  
I (mA)  
Voltage  
Max  
I (mA)  
-2.4  
-27.3  
-74.1  
-129.2  
-153.3  
-197.0  
-226.2  
-248.0  
-269.7  
-284.3  
-344.5  
-502.4  
(V)  
3.45  
3.3  
3.0  
2.6  
2.4  
2.0  
1.8  
1.65  
1.5  
1.4  
1.0  
0.0  
0.0  
-21.1  
-34.1  
-58.7  
-67.3  
-73.0  
-77.9  
-80.8  
-88.6  
-93.0  
-0.7  
-7.5  
-13.3  
-27.5  
-35.5  
-41.1  
-47.9  
-52.4  
-72.5  
-93.0  
Voltage  
IOH Min (100MHz)  
IOH Min (66MHz)  
IOH Max (66 and 100MHz)  
66MHz and 100MHz Pull-down  
IOL Characteristics (Pull-down)  
250  
200  
150  
100  
50  
100MHz  
Min  
100MHz  
Max  
66MHz  
Min  
I (mA)  
0.0  
Voltage  
(V)  
0.0  
I (mA)  
0.0  
I (mA)  
0.0  
0.4  
27.5  
41.8  
51.6  
58.0  
70.7  
72.9  
75.4  
77.0  
77.6  
80.3  
81.4  
70.2  
17.7  
26.9  
33.3  
37.6  
46.6  
48.0  
49.5  
50.7  
51.5  
54.2  
54.9  
0.65  
0.85  
1.0  
1.4  
1.5  
1.65  
1.8  
1.95  
3.0  
107.5  
133.8  
151.2  
187.7  
194.4  
202.5  
208.6  
212.0  
219.6  
222.6  
3.45  
0
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
Voltage  
IOL Min (100MHz)  
IOL Min (66MHz)  
IOL Max (100MHz)  
Rev. 0.0 Aug. 1999  

与K4S280832B-TL75相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4S280832B-TL80 SAMSUNG 4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM

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K4S280832C SAMSUNG 128Mbit SDRAM 4M x 8Bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL

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K4S280832C-NC1H SAMSUNG Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54

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K4S280832C-NC1L SAMSUNG Synchronous DRAM, 16MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54

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K4S280832C-NC75 SAMSUNG Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54

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