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K4S280832B-TL75 PDF预览

K4S280832B-TL75

更新时间： 2024-01-20 00:21:19
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
10页 125K
描述
4M x 8Bit x 4 Banks Sychronous DRAM

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K4S280832B-TL75 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP54,.46,32
针数：54Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.27Is Samacsys：N
访问模式：FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间：5.4 ns
其他特性：AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK)：133 MHz
I/O 类型：COMMON交错的突发长度：1,2,4,8
JESD-30 代码：R-PDSO-G54JESD-609代码：e0
长度：22.22 mm内存密度：134217728 bit
内存集成电路类型：SYNCHRONOUS DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：54字数：16777216 words
字数代码：16000000工作模式：SYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：16MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP54,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES连续突发长度：1,2,4,8,FP
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.22 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K4S280832B-TL75 数据手册

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K4S280832B  
CMOS SDRAM  
AC CHARACTERISTICS (AC operating conditions unless otherwise noted)  
- 75  
- 80  
- 1H  
- 1L  
- 10  
Parameter  
Symbol  
tCC  
Unit Note  
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max  
CAS latency=3  
7.5  
-
8
-
10  
10  
10  
12  
10  
13  
CLK cycle time  
1000  
1000  
1000  
1000  
1000 ns  
1
1,2  
2
CAS latency=2  
CAS latency=3  
CAS latency=2  
CAS latency=3  
CAS latency=2  
5.4  
-
6
-
6
6
6
7
7
CLK to valid  
output delay  
tSAC  
ns  
7
2.7  
-
3
-
3
3
3
3
2
1
1
3
3
3
3
2
1
1
3
Output data  
hold time  
tOH  
ns  
3
CLK high pulse width  
CLK low pulse width  
Input setup time  
tCH  
tCL  
2.5  
2.5  
1.5  
0.8  
1
3
3
2
1
1
3.5  
3.5  
2.5  
1.5  
1
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
3
3
3
3
2
tSS  
Input hold time  
tSH  
tSLZ  
CLK to output in Low-Z  
CAS latency=3  
CAS latency=2  
5.4  
-
6
-
6
6
6
7
7
CLK to output  
in Hi-Z  
tSHZ  
ns  
7
Notes :  
1. Parameters depend on programmed CAS latency.  
2. If clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5)ns should be added to the parameter.  
3. Assumed input rise and fall time (tr & tf) = 1ns.  
If tr & tf is longer than 1ns, transient time compensation should be considered,  
i.e., [(tr + tf)/2-1]ns should be added to the parameter.  
DQ BUFFER OUTPUT DRIVE CHARACTERISTICS  
Parameter  
Symbol  
Condition  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
Notes  
Measure in linear  
region : 1.2V ~ 1.8V  
Output rise time  
trh  
1.37  
4.37  
3.8  
Volts/ns  
Volts/ns  
Volts/ns  
Volts/ns  
3
Measure in linear  
region : 1.2V ~ 1.8V  
Output fall time  
Output rise time  
Output fall time  
tfh  
trh  
tfh  
1.30  
2.8  
3
Measure in linear  
region : 1.2V ~ 1.8V  
3.9  
2.9  
5.6  
1,2  
1,2  
Measure in linear  
region : 1.2V ~ 1.8V  
2.0  
5.0  
Notes :  
1. Rise time specification based on 0pF + 50 W to VSS, use these values to design to.  
2. Fall time specification based on 0pF + 50 W to VDD, use these values to design to.  
3. Measured into 50pF only, use these values to characterize to.  
4. All measurements done with respect to VSS.  
Rev. 0.0 Aug. 1999  
1...45678910

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