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K4S280832D-NC7C

更新时间: 2024-02-21 00:55:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 113K
描述
Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.441 INCH, 0.40 MM PITCH, STSOP2-54

K4S280832D-NC7C 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP2
包装说明:TSOP,针数:54
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.83
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:5.4 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:11.2 mm内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:SYNCHRONOUS DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:54字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.4 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4S280832D-NC7C 数据手册

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K4S280832D  
CMOS SDRAM  
128Mbit SDRAM  
4M x 8Bit x 4 Banks  
Synchronous DRAM  
LVTTL  
Rev. 0.1  
Sept. 2001  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
Rev. 0.1 Sept. 2001  

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