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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | VBGA, BGA62,12X9,40/32 |
| 针数： | 62 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.02 |
| 风险等级： | 5.91 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 最长访问时间： | 53.3 ns |
| 其他特性： | SELF CONTAINED REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 600 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B62 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | RAMBUS DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 62 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 组织： | 8MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | VBGA | 封装等效代码： | BGA62,12X9,40/32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 1.8/2.5,2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 16384 |
| 反向引出线： | YES | 座面最大高度： | 1 mm |
| 自我刷新： | YES | 子类别： | DRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.63 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.37 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 宽度： | 10.2 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| K4R271669B-NCK8 | SAMSUNG |
功能相似  |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R271669B-NCG6 | SAMSUNG |
功能相似 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4R271669B-MCK7 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R271669B-MCK8 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R271669B-MCK8T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| K4R271669B-N(M)CG6 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R271669B-N(M)CK7 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R271669B-NB(M)CCK8 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R271669B-NCG6 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R271669B-NCG6T | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, |
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| K4R271669B-NCK7 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
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| K4R271669B-NCK7T | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, |
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