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K4R271669B-NCG6

更新时间: 2024-11-26 03:05:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路动态存储器时钟
页数 文件大小 规格书
20页 308K
描述
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM

K4R271669B-NCG6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:VBGA, BGA62,12X9,40/32
针数:62Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.91Is Samacsys:N
访问模式:BLOCK ORIENTED PROTOCOL最长访问时间:53.3 ns
其他特性:SELF CONTAINED REFRESH最大时钟频率 (fCLK):600 MHz
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PBGA-B62
JESD-609代码:e0长度:12 mm
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:RAMBUS DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:62
字数:8388608 words字数代码:8000000
工作模式:SYNCHRONOUS组织:8MX16
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:VBGA封装等效代码:BGA62,12X9,40/32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED电源:1.8/2.5,2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:16384
座面最大高度:1 mm自我刷新:YES
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):2.63 V
最小供电电压 (Vsup):2.37 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.2 mm
Base Number Matches:1

K4R271669B-NCG6 数据手册

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K4R271669B/K4R441869B  
Direct RDRAM  
128/144Mbit RDRAM(B-die)  
256K x 16/18 bit x 32s banks  
Direct RDRAMTM  
Version 1.11  
October 2000  
Version 1.11 Oct. 2000  

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