是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | VBGA, BGA62,12X9,40/32 |
针数: | 62 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | BLOCK ORIENTED PROTOCOL | 最长访问时间: | 53.3 ns |
其他特性: | SELF CONTAINED REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 600 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B62 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 12 mm |
内存密度: | 134217728 bit | 内存集成电路类型: | RAMBUS DRAM |
内存宽度: | 16 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 62 |
字数: | 8388608 words | 字数代码: | 8000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 组织: | 8MX16 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | VBGA | 封装等效代码: | BGA62,12X9,40/32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.8/2.5,2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 16384 |
座面最大高度: | 1 mm | 自我刷新: | YES |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 2.63 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.37 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 0.8 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.2 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
K4R271669B-NCK8 | SAMSUNG |
功能相似 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM | |
K4R271669B-MCG6 | SAMSUNG |
功能相似 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4R271669B-NCG6T | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, | |
K4R271669B-NCK7 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM | |
K4R271669B-NCK7T | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA62, | |
K4R271669B-NCK8 | SAMSUNG |
获取价格 |
256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM | |
K4R271669B-NCK8T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 | |
K4R271669D | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit RDRAM(D-die) | |
K4R271669D-RCS80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA54, WBGA-54 | |
K4R271669D-T | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit RDRAM(D-die) | |
K4R271669D-TCS8 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit RDRAM(D-die) | |
K4R271669D-TCS80 | SAMSUNG |
获取价格 |
Rambus DRAM, 8MX16, CMOS, PBGA54, WBGA-54 |