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K4R441869A-N(M)CG6

更新时间： 2024-11-25 22:16:39

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器
页数	文件大小	规格书
64页	4043K
描述
256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM

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K4R441869A-N(M)CG6 数据手册

™

K4R271669A/K4R441869A

Direct RDRAM

128/144Mbit RDRAM

256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks

Direct RDRAM^TM

Revision 1.02

January 2000

Page -1

Rev. 1.02 Jan. 2000

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4R441869A-N(M)CK7	SAMSUNG	获取价格	256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R441869A-N(M)CK8	SAMSUNG	获取价格	256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R441869A-NCG6	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 8MX18, 53.3ns, CMOS, PBGA62, CENTER BONDED, MICRO, CSP, BGA-62
K4R441869A-NCK8	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 8MX18, 45ns, CMOS, PBGA62, CENTER BONDED, MICRO, CSP, BGA-62
K4R441869A-NMCG6	SAMSUNG	获取价格	256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R441869A-NMCK7	SAMSUNG	获取价格	256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R441869A-NMCK8	SAMSUNG	获取价格	256K x 16/18 bit x 2*16 Dependent Banks Direct RDRAMTM
K4R441869B	SAMSUNG	获取价格	256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R441869B-MCG6	SAMSUNG	获取价格	256K x 16/18 bit x 32s banks Direct RDRAMTM
K4R441869B-MCG6T	SAMSUNG	获取价格	Rambus DRAM, 8MX18, CMOS, PBGA62,