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K4Q153211M-JC50

更新时间： 2024-11-23 15:36:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 325K
描述
EDO DRAM, 512KX32, 50ns, CMOS, PDSO70, 0.400 X 1.125 INCH, PLASTIC, SOJ-70

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K4Q153211M-JC50 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ70,.44,32
针数：70Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：50 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J70
JESD-609代码：e0长度：28.575 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：32功能数量：1
端口数量：1端子数量：70
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX32
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ70,.44,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：3.61 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.16 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K4Q153211M-JC50 数据手册

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K4Q153211M, K4Q153212M  
CMOS DRAM  
512K x 32Bit CMOS Quad CAS DRAM with EDO  
DESCRIPTION  
This is a 524,288 x 32 bit Extended Data Out CMOS DRAM. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells  
within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle 1K, access time (-50 or -60),  
power consumption(Normal or Low power) and SOJ package type are optional features of this family. All of this family have CAS-before-  
RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This  
512Kx32 EDO Mode Quad CAS DRAM is fabricated using Samsung's advanced CMOS process to realize high band-width, low power  
consumption and high reliability.  
FEATURES  
• Part Identification  
• Extended Data Out Mode operation  
(Fast Page Mode with Extended Data Out)  
• Four separate CAS pins provide for separate I/O operation  
• CAS-before-RAS refresh capability  
- K4Q153211M-JC (5.0V, 1K Ref.)  
- K4Q153211M-JL (5.0V, 1K Ref. LP)  
- K4Q153212M-JC (3.3V, 1K Ref.)  
- K4Q153212M-JL (3.3V, 1K Ref. LP)  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• ActivePowerDissipation  
Unit : mW  
5.0V  
• Plastic SOJ 400mil x 1125mil package  
• Single +5.0V±0.5V power supply(5V product)  
• Single +3.3V±0.3V power supply(3.3V product)  
Speed  
-50  
3.3V  
-
880  
825  
-60  
540  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
• Refresh Cycles  
RAS  
CAS0-3  
W
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh period  
CAS0  
Control  
Clocks  
DQ0  
to  
VCC  
D/I Buffer  
Vcc  
Vss  
VBB Generator  
Normal  
16ms  
L-ver  
128ms  
128ms  
DQ7  
CAS0  
D/O Buffer  
153211M-J 5.0V  
153212M-J 3.3V  
1K  
1K  
CAS1  
16ms  
DQ8  
to  
DQ15  
D/I Buffer  
Refresh Timer  
Row Decoder  
CAS1  
D/O Buffer  
Refresh Control  
Refresh Counter  
OE  
CAS2  
DQ16  
to  
DQ23  
Memory  
Array  
524,288 x 32  
Cells  
D/I Buffer  
• Performance Range  
CAS2  
D/O Buffer  
Speed  
Remark  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
tRC  
tHPC  
A0 - A9  
A0 - A8  
CAS3  
DQ24  
to  
DQ31  
-50  
-60  
15ns  
84ns  
20ns 5.0V only  
D/I Buffer  
Column Decoder  
17ns 104ns 27ns 5V/3.3V  
CAS3  
D/O Buffer  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...21

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4Q153211M-JC60 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 512KX32, 60ns, CMOS, PDSO70, 0.400 X 1.125 INCH, PLASTIC, SOJ-70
K4Q153211M-JL50 SAMSUNG

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K4Q153212M-JC SAMSUNG

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 		DRAM
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