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K4Q153212M-JL

更新时间： 2024-11-23 20:00:19

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三星 - SAMSUNG		动态存储器
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21页	325K
描述
DRAM

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K4Q153212M-JL 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.84	Base Number Matches：	1

K4Q153212M-JL 数据手册

K4Q153211M, K4Q153212M

CMOS DRAM

512K x 32Bit CMOS Quad CAS DRAM with EDO

DESCRIPTION

This is a 524,288 x 32 bit Extended Data Out CMOS DRAM. Extended Data Out Mode offers high speed random access of memory cells

within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle 1K, access time (-50 or -60),

power consumption(Normal or Low power) and SOJ package type are optional features of this family. All of this family have CAS-before-

RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This

512Kx32 EDO Mode Quad CAS DRAM is fabricated using Samsung's advanced CMOS process to realize high band-width, low power

consumption and high reliability.

FEATURES

• Part Identification

• Extended Data Out Mode operation

(Fast Page Mode with Extended Data Out)

• Four separate CAS pins provide for separate I/O operation

• CAS-before-RAS refresh capability

- K4Q153211M-JC (5.0V, 1K Ref.)

- K4Q153211M-JL (5.0V, 1K Ref. LP)

- K4Q153212M-JC (3.3V, 1K Ref.)

- K4Q153212M-JL (3.3V, 1K Ref. LP)

• RAS-only and Hidden refresh capability

• Self-refresh capability (L-ver only)

• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs

• Early Write or output enable controlled write

• JEDEC Standard pinout

• ActivePowerDissipation

Unit : mW

5.0V

• Plastic SOJ 400mil x 1125mil package

• Single +5.0V±0.5V power supply(5V product)

• Single +3.3V±0.3V power supply(3.3V product)

Speed

-50

3.3V

880

825

-60

540

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

• Refresh Cycles

RAS

CAS0-3

Part

NO.

Refresh

cycle

Refresh period

CAS0

Control

Clocks

DQ0

VCC

D/I Buffer

Vcc

Vss

VBB Generator

Normal

16ms

L-ver

128ms

DQ7

CAS0

D/O Buffer

153211M-J 5.0V

153212M-J 3.3V

CAS1

16ms

DQ8

DQ15

D/I Buffer

Refresh Timer

Row Decoder

CAS1

D/O Buffer

Refresh Control

Refresh Counter

CAS2

DQ16

DQ23

Memory

Array

524,288 x 32

Cells

D/I Buffer

• Performance Range

CAS2

D/O Buffer

Speed

Remark

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

tRAC

50ns

60ns

tCAC

tRC

tHPC

A0 - A9

A0 - A8

CAS3

DQ24

DQ31

-50

-60

15ns

84ns

20ns 5.0V only

D/I Buffer

Column Decoder

17ns 104ns 27ns 5V/3.3V

CAS3

D/O Buffer

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4Q153212M-JL60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 512KX32, 60ns, CMOS, PDSO70, 0.400 X 1.125 INCH, PLASTIC, SOJ-70
K4Q160411C-B	SAMSUNG	获取价格	DRAM
K4Q160411C-BC50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
K4Q160411C-BC500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
K4Q160411C-BC60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
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K4Q160411C-BL500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
K4Q160411C-BL60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
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