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K4Q170411C-B

更新时间： 2024-11-23 20:05:23

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三星 - SAMSUNG		动态存储器
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DRAM

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K4Q170411C-B 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.75
Base Number Matches：	1

K4Q170411C-B 数据手册

K4Q170411C, K4Q160411C

CMOS DRAM

4M x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM with Extended Data Out

DESCRIPTION

This is a family of 4,194,304 x 4 bit Quad CAS with Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high

speed random access of memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Refresh cycle (2K Ref. or 4K Ref.), access

time (-50 or -60), power consumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of this family. All of

this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is avail-

able in L-version. Four separate CAS pins provide for seperate I/O operation allowing this device to operate in parity mode.

This 4Mx4 Extended Data Out Quad CAS DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-

width, low power consumption and high reliability.

FEATURES

• Extended Data Out mode operation

(Fast Page Mode with Extended Data Out)

• Part Identification

• Four separate CAS pins provide for separate I/O operation

- K4Q170411C-B(F) (5V, 4K Ref.)

- K4Q160411C-B(F) (5V, 2K Ref.)

• CAS-before-RAS refresh capability

• RAS-only and Hidden refresh capability

• Self-refresh capability (L-ver only)

• Fast parallel test mode capability

• TTL compatible inputs and outputs

• Early Write or output enable controlled write

• JEDEC Standard pinout

• Active Power Dissipation

Unit : mW

Refresh Cycle

Speed

• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages

• Single +5V±10% power supply

-50

-60

495

440

605

550

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

• Refresh Cycles

Part

NO.

Refresh

cycle

Refresh period

RAS

CAS0 - 3

Vcc

Vss

Control

Clocks

Normal

L-ver

VBB Generator

K4Q170411C

K4Q160411C

64ms

32ms

128ms

Data in

Buffer

Row Decoder

Refresh Timer

Refresh Control

DQ0

DQ3

Memory Array

4,194,304 x 4

Cells

Refresh Counter

Row Address Buffer

Col. Address Buffer

• Performance Range

Speed

-50

tRAC

50ns

60ns

tCAC

13ns

15ns

tRC

tHPC

20ns

25ns

A0-A11

(A0 - A10)*1

A0 - A9

84ns

Data out

Buffer

Column Decoder

(A0 - A10)*1

-60

104ns

Note) *1 : 2K Refresh

SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to

change products and specifications without notice.

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4Q170411C-BC500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
K4Q170411C-BC60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
K4Q170411C-BC600	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
K4Q170411C-BL50	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
K4Q170411C-BL500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
K4Q170411C-BL60	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
K4Q170411C-BL600	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
K4Q170411C-F	SAMSUNG	获取价格	DRAM
K4Q170411C-FC500	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

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