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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | TSSOP, TSSOP66,.46 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 167 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 | JESD-609代码： | e3 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 16 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 端子数量： | 66 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 16MX16 |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP66,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 2.5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 最大待机电流： | 0.003 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.27 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.635 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4H561638J-LPB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, HALOGEN FREE AND |
|
| K4H561638J-LPCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.65ns, CMOS, PDSO66 |
|
| K4H561638M-TCA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H561638M-TCA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H561638M-TCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H561638M-TLA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H561638M-TLA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H561638M-TLB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM |
|
| K4H561638N | SAMSUNG |
获取价格 |
Consumer Memory |
|
| K4H561638N-LCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66 |
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