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K4H560838D-GCB00

更新时间： 2024-02-12 06:24:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
26页 291K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60

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K4H560838D-GCB00 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TBGA,针数：60
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.24风险等级：5.4
Is Samacsys：N访问模式：FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：0.75 ns其他特性：AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：R-PBGA-B60长度：14 mm
内存密度：268435456 bit内存集成电路类型：DDR DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：60
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TBGA
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：2.3 V标称供电电压 (Vsup)：2.5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：BALL
端子节距：1 mm端子位置：BOTTOM
宽度：8 mmBase Number Matches：1

K4H560838D-GCB00 数据手册

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256Mb  
DDR SDRAM  
Key Features  
• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle  
• Bidirectional data strobe(DQS)  
• Four banks operation  
• Differential clock inputs(CK and CK)  
• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition  
• MRS cycle with address key programs  
-. Read latency 2, 2.5 (clock)  
-. Burst length (2, 4, 8)  
-. Burst type (sequential & interleave)  
• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)  
• Data I/O transactions on both edges of data strobe  
• Edge aligned data output, center aligned data input  
• LDM,UDM/DM for write masking only  
• Auto & Self refresh  
• 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)  
• Maximum burst refresh cycle : 8  
• 60 Ball FBGA package  
ORDERING INFORMATION  
Part No.  
Org.  
Max Freq.  
Interface  
Package  
K4H560438D-GC(L)B3  
K4H560438D-GC(L)A2  
K4H560438D-GC(L)B0  
K4H560838D-GC(L)B3  
K4H560838D-GC(L)A2  
K4H560838D-GC(L)B0  
K4H561638D-GC(L)B3  
K4H561638D-GC(L)A2  
K4H561638D-GC(L)B0  
B3(DDR333@CL=2.5)  
A2(DDR266@CL=2)  
B0(DDR266@CL=2.5)  
B3(DDR333@CL=2.5)  
A2(DDR266@CL=2)  
B0(DDR266@CL=2.5)  
B3(DDR333@CL=2.5)  
A2(DDR266@CL=2)  
B0(DDR266@CL=2.5)  
64M x 4  
SSTL2  
60 ball FBGA  
32M x 8  
SSTL2  
SSTL2  
60 ball FBGA  
60 ball FBGA  
16M x 16  
Operating Frequencies  
- B3(DDR333)  
133MHz  
- A2(DDR266A)  
- B0(DDR266B)  
100MHz  
Speed @CL2  
133MHz  
133MHz  
Speed @CL2.5  
166MHz  
133MHz  
*CL : Cas Latency  
Rev. 2.2 Mar. ’03  
- 1 -  
1234567...26

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