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K4H560838D-NCB3

更新时间： 2024-01-11 03:51:48

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	93K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54

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K4H560838D-NCB3 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	SOP, TSSOP54,.36,20
针数：	54	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.75	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e0	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	54	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装等效代码：	TSSOP54,.36,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.325 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K4H560838D-NCB3 数据手册

256Mb sTSOPII

DDR SDRAM

Key Features

• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle

• Bidirectional data strobe(DQS)

• Four banks operation

• Differential clock inputs(CK and CK)

• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition

• MRS cycle with address key programs

-. Read latency 2, 2.5 (clock)

-. Burst length (2, 4, 8)

-. Burst type (sequential & interleave)

• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)

• Data I/O transactions on both edges of data strobe

• Edge aligned data output, center aligned data input

• DM for write masking only

• Auto & Self refresh

• 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)

• Maximum burst refresh cycle : 8

• 54pin sTSOP II package

ORDERING INFORMATION

Part No.

Org.

Max Freq.

Interface

Package

K4H560438D-NC/LB3

B3(DDR333@CL=2.5)

A2(DDR266@CL=2)

B0(DDR266@CL=2.5)

A0(DDR200@CL=2)

B3(DDR333@CL=2.5)

A2(DDR266@CL=2)

B0(DDR266@CL=2.5)

A0(DDR200@CL=2)

K4H560438D-NC/LA2

K4H560438D-NC/LB0

K4H560438D-NC/LA0

K4H560838D-NC/LB3

K4H560838D-NC/LA2

K4H560838D-NC/LB0

K4H560838D-NC/LA0

64M x 4

SSTL2

54pin sTSOP II

32M x 8

SSTL2

54pin sTSOP II

Operating Frequencies

- B3(DDR333)

133MHz

- A2(DDR266A)

133MHz

- B0(DDR266B)

100MHz

- A0(DDR200)

100MHz

Speed @CL2

Speed @CL2.5

DLL jitter

166MHz

133MHz

±0.7ns

±0.75ns

±0.8ns

*CL : Cas Latency

Rev.0.0 May. ’02

- 1 -

12 3 4 5 6 7...18

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