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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | BGA, BGA60,9X12,40/32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 32MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA60,9X12,40/32 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 2.6 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.31 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.6 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4H560838E-GCCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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| K4H560838E-GCCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60 |
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| K4H560838E-GLA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
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| K4H560838E-GLA20 | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| K4H560838E-GLB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
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| K4H560838E-GLB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
|
| K4H560838E-GLB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
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| K4H560838E-GLB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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| K4H560838E-GLB3T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| K4H560838E-GLCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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