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K4H560438D-TCA0

更新时间： 2024-02-13 05:28:20

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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128Mb DDR SDRAM

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K4H560438D-TCA0 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.8 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	100 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e0
长度：	22.22 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	66	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.22 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K4H560438D-TCA0 数据手册

128Mb DDR SDRAM

11. IBIS: I/V Characteristics for Input and Output Buffers

11.1 Normal strength driver

1. The nominal pulldown V-I curve for DDR SDRAM devices will be within the inner bounding lines of the V-I curve of Figure a.

2. The full variation in driver pulldown current from minimum to maximum process, temperature and voltage will lie within the outer

bounding lines the of the V-I curve of Figure a.

Maximum

1 6 0

1 4 0

1 2 0

Typical High

1 0 0

8 0

Typical Low

6 0

Minimum

4 0

2 0

0. 0

0. 5

1. 0

1. 5

2. 0

2. 5

Vout(V)

3. The nominal pullup V-I curve for DDR SDRAM devices will be within the inner bounding lines of the V-I curve of below Figure b.

4. The Full variation in driver pullup current from minimum to maximum process, temperature and voltage will lie within the outer

bounding lines of the V-I curve of Figrue b.

0.0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

- 20

Minumum

- 40

Typical Low

- 60

- 80

- 100

- 120

- 140

- 160

- 180

- 200

- 220

Typical High

Maximum

Vout(V)

5. The full variation in the ratio of the maximum to minimum pullup and pulldown current will not exceed 1.7, for device drain to source

voltage from 0 to VDDQ/2

6. The Full variation in the ratio of the nominal pullup to pulldown current should be unity ±10%, for device drain to source voltages

from 0 to VDDQ/2

Figure 25. I/V characteristics for input/output buffers:Pull up(above) and pull down(below)

- 47 -

REV. 1.0 November. 2. 2000

1...44 45 464748 49 50...53

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