5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > K4F641612E-TL45T
K4F641612E-TL45T PDF预览

K4F641612E-TL45T

更新时间： 2024-11-12 07:38:43
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 346K
描述
Fast Page DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50

阅读下载

中文翻译

获取价格

K4F641612E-TL45T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSOP, TSOP50,.46,32Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.92最长访问时间：45 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G50
JESD-609代码：e0内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM内存宽度：16
端子数量：50字数：4194304 words
字数代码：4000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：4MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP封装等效代码：TSOP50,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：4096自我刷新：YES
最大待机电流：0.0002 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.13 mA标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

K4F641612E-TL45T 数据手册

 浏览型号K4F641612E-TL45T的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4F641612E-TL45T的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4F641612E-TL45T的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4F641612E-TL45T的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4F641612E-TL45T的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4F641612E-TL45T的Datasheet PDF文件第7页 
K4F661612E,K4F641612E  
CMOS DRAM  
4M x 16bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 4,194,304 x 16 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory  
cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Normal or Low power)  
are optional features of this family. All of this family have CAS -before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities.  
Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This 4Mx16 Fast Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s  
advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.  
FEATURES  
• Fast Page Mode operation  
• Part Identification  
• 2CAS Byte/Word Read/Write operation  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
• Fast parallel test mode capability  
• LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
- K4F661612E-TC/L(3.3V, 8K Ref.)  
- K4F641612E-TC/L(3.3V, 4K Ref.)  
• ActivePowerDissipation  
Unit : mW  
Speed  
-45  
8K  
4K  
• Available in Plastic TSOP(II) packages  
• +3.3V ±0.3V power supply  
324  
288  
252  
468  
432  
396  
-50  
-60  
• Refresh Cycles  
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh time  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Normal  
64ms  
L-ver  
K4F661612E*  
K4F641612E  
8K  
4K  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
128ms  
Vcc  
Control  
Vss  
Clocks  
VBB Generator  
* Access mode & RAS only refresh mode  
: 8K cycle/64ms(Normal), 8K cycle/128ms(L-ver.)  
CAS -before-RAS & Hidden refresh mode  
Lower  
Data in  
Buffer  
DQ0  
to  
DQ7  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Lower  
Data out  
Buffer  
: 4K cycle/64ms(Normal), 4K cycle/128ms(L-ver.)  
Memory Array  
4,194,304 x 16  
Cells  
OE  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
• Performance Range  
DQ8  
to  
DQ15  
Speed  
-45  
tRAC  
45ns  
50ns  
60ns  
tCAC  
12ns  
13ns  
15ns  
tRC  
tPC  
A0~A12  
(A0~A11)*1  
Upper  
Data out  
Buffer  
80ns  
90ns  
110ns  
31ns  
35ns  
40ns  
A0~A8  
(A0~A9)*1  
Column Decoder  
-50  
-60  
Note) *1 : 4K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...35

中文翻译

下载PDF

与K4F641612E-TL45T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4F641612E-TL60 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
K4F641612E-TL600 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50,
K4F641612E-TP45 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 4MX16, 45ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
K4F641612E-TP50 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 4MX16, 50ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
K4F641612E-TP60 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 4MX16, 60ns, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50
K4F660411B-TC450 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4F660411C-JC600 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4F660411C-JL60 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
K4F660411C-TC600 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
K4F660411C-TL50 SAMSUNG

获取价格

 		Fast Page DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

与K4F641612E-TL45T相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证