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K4E660811D-JC500

更新时间： 2023-08-15 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	413K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, SOJ-32

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K4E660811D-JC500 数据手册

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K4E660811D,K4E640811D

CMOS DRAM

HYPER PAGE READ AND WRITE MIXED CYCLE

tRP

tRASP

VIH -

VIL -

READ(tCAC)

READ(tCPA)

READ(tAA)

WRITE

RAS

tRHCP

tHPC

tCP

VIH -

VIL -

tCAS

tCAH

tCAS

tCAH

tCAS

tCAH

CAS

tRAD

tRAH

tASR

tASC tCAH

tASC

COLUMN

VIH -

VIL -

COL.

ADDR

COL.

COLUMN

ROW

ADDR

ADDRESS

ADDR

ADDRESS

tRAL

tRCS

tRCH

tRCS

tRCH

tWCH

tRCH

VIH -

VIL -

tWCS

tWPE

tCPA

tCLZ

tWED

VIH -

VIL -

tDH

tDS

tOEA

tCAC

tAA

tRAC

tWEZ

tREZ

tAA

tWEZ

DQ0 ~ DQ3(7)

tCLZ

VI/OH -

VALID

DATA-OUT

VALID

DATA-IN

VALID

DATA-OUT

VALID

DATA-OUT

VI/OL -

Don¢t care

Undefined

1...13 14 151617 18 19...21

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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