5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > K4E660812B-TC600
K4E660812B-TC600 PDF预览

K4E660812B-TC600

更新时间： 2024-01-01 09:37:42
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 65ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

阅读下载

获取价格

K4E660812B-TC600 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2,
针数：32Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92Is Samacsys：N
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：65 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-G32
长度：20.95 mm内存密度：67108864 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：32字数：8388608 words
字数代码：8000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：8MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度（摄氏度）：240
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
自我刷新：YES最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K4E660812B-TC600 数据手册

 浏览型号K4E660812B-TC600的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K4E660812B-TC600的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K4E660812B-TC600的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K4E660812B-TC600的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K4E660812B-TC600的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K4E660812B-TC600的Datasheet PDF文件第7页 
K4E660812B,K4E640812B  
CMOS DRAM  
8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out  
DESCRIPTION  
This is a family of 8,388,608 x 8 bit Extended Data Out Mode CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random  
access of memory cells within the same row. Refresh cycle(4K Ref. or 8K Ref.), access time (-45, -50 or -60), power consumption(Nor-  
mal or Low power) are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden  
refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This 8Mx8 EDO Mode DRAM family is fabricated using  
Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.  
FEATURES  
• Extended Data Out Mode operation  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
• Fast parallel test mode capability  
• LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• Part Identification  
- K4E660812B-JC/L(3.3V, 8K Ref., SOJ)  
- K4E640812B-JC/L(3.3V, 4K Ref., SOJ)  
- K4E660812B-TC/L(3.3V, 8K Ref., TSOP)  
- K4E640812B-TC/L(3.3V, 4K Ref., TSOP)  
• Active Power Dissipation  
Unit : mW  
4K  
Speed  
-45  
8K  
• Available in Plastic SOJ and TSOP(II) packages  
• +3.3V±0.3V power supply  
360  
324  
288  
468  
432  
396  
-50  
-60  
• Refresh Cycles  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Part  
NO.  
Refresh  
cycle  
Refresh time  
Normal  
L-ver  
RAS  
CAS  
W
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
K4E660812B*  
K4E640812B  
8K  
4K  
64ms  
128ms  
VBB Generator  
* Access mode & RAS only refresh mode  
: 8K cycle/64ms(Normal), 8K cycle/128ms(L-ver.)  
CAS-before-RAS & Hidden refresh mode  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
Data in  
Buffer  
: 4K cycle/64ms(Normal), 4K cycle/128ms(L-ver.)  
Memory Array  
8,388,608 x 8  
Cells  
DQ0  
to  
DQ7  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
¡Ü Performance Range  
Data out  
Buffer  
A0~A12  
(A0~A11)*1  
Speed  
-45  
tRAC  
45ns  
50ns  
60ns  
tCAC  
12ns  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
17ns  
20ns  
25ns  
OE  
74ns  
84ns  
104ns  
A0~A9  
(A0~A10)*1  
Column Decoder  
-50  
Note) *1 : 4K Refresh  
-60  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...21

下载PDF

与K4E660812B-TC600相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K4E660812C SAMSUNG 8M x 8bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out

获取价格
K4E660812C-JC450 SAMSUNG EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

获取价格
K4E660812C-JC50 SAMSUNG EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

获取价格
K4E660812C-JL45 SAMSUNG EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

获取价格
K4E660812C-TC45 SAMSUNG EDO DRAM, 8MX8, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

获取价格
K4E660812C-TC50 SAMSUNG EDO DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

获取价格

与K4E660812B-TC600相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证