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K4E660812B-TC600

更新时间： 2024-02-24 20:18:22

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
21页	416K
描述
EDO DRAM, 8MX8, 65ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

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K4E660812B-TC600 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	65 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
长度：	20.95 mm	内存密度：	67108864 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	32	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	8MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

K4E660812B-TC600 数据手册

K4E660812B,K4E640812B

CMOS DRAM

DC AND OPERATING CHARACTERISTICS (Continued)

Max

Symbol

Power

Speed

Units

K4E660812B

K4E640812B

-45

-50

-60

100

130

120

110

ICC1

ICC2

ICC3

Don¢t care

Normal

Don¢t care

-45

-50

-60

100

130

120

110

Don¢t care

-45

-50

-60

110

100

120

110

100

ICC4

ICC5

ICC6

Normal

500

300

500

300

Don¢t care

-45

-50

-60

100

130

120

110

Don¢t care

ICC7

ICCS

Don¢t care

400

ICC1* : Operating Current (RAS and CAS, Address cycling @tRC=min.)

ICC2 : Standby Current (RAS=CAS=W=VIH)

ICC3* : RAS-only Refresh Current (CAS=VIH, RAS cycling @tRC=min.)

ICC4* : Extended Data Out Mode Current (RAS=VIL, CAS, Address cycling @tHPC=min.)

ICC5 : Standby Current (RAS=CAS=W=VCC-0.2V)

ICC6* : CAS-Before-RAS Refresh Current (RAS and CAS cycling @tRC=min)

ICC7 : Battery back-up current, Average power supply current, Battery back-up mode

Input high voltage(VIH)=VCC-0.2V, Input low voltage(VIL)=0.2V, CAS=CAS-before-RAS cycling or 0.2V

W, OE=VIH, Address=Don¢t care, DQ=Open, TRC=31.25us

ICCS : Self Refresh Current

RAS=CAS=0.2V, W=OE=A0 ~ A12(A11)=VCC-0.2V or 0.2V, DQ0 ~ DQ7=VCC-0.2V, 0.2V or Open

*Note :

ICC1, ICC3, ICC4 and ICC6 are dependent on output loading and cycle rates. Specified values are obtained with the output open.

ICC is specified as an average current. In ICC1, ICC3 and ICC6, address can be changed maximum once while RAS=VIL. In ICC4,

address can be changed maximum once within one EDO mode cycle time, tHPC.

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